onsemi PowerTrench FDC6506P P-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 1,8 A 960 mW, 6-Pin SOT-23
- RS Best.-Nr.:
- 761-4417
- Herst. Teile-Nr.:
- FDC6506P
- Marke:
- ON Semiconductor
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
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- 761-4417
- Herst. Teile-Nr.:
- FDC6506P
- Marke:
- ON Semiconductor
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ON Semiconductor | |
| Channel-Typ | P | |
| Dauer-Drainstrom max. | 1,8 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 30 V | |
| Gehäusegröße | SOT-23 | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 280 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 1V | |
| Verlustleistung max. | 960 mW | |
| Transistor-Konfiguration | Isoliert | |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 2,3 nC @ 10 V | |
| Länge | 3mm | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Breite | 1.7mm | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Höhe | 1mm | |
| Serie | PowerTrench | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ON Semiconductor | ||
Channel-Typ P | ||
Dauer-Drainstrom max. 1,8 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 30 V | ||
Gehäusegröße SOT-23 | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 6 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 280 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung min. 1V | ||
Verlustleistung max. 960 mW | ||
Transistor-Konfiguration Isoliert | ||
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 2,3 nC @ 10 V | ||
Länge 3mm | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Breite 1.7mm | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||
Höhe 1mm | ||
Serie PowerTrench | ||