Renesas Electronics N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 22 A 20 W, 3-Pin TO-220F

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RS Best.-Nr.:
772-5440P
Herst. Teile-Nr.:
2SK3793-AZ
Marke:
Renesas Electronics
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Marke

Renesas Electronics

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

22 A

Drain-Source-Spannung max.

100 V

Gehäusegröße

TO-220F

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

148 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

2.5V

Verlustleistung max.

20 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Länge

10mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

21 nC @ 10 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Transistor-Werkstoff

Si

Breite

4.5mm

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Höhe

15mm