Renesas Electronics N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 22 A 20 W, 3-Pin TO-220F
- RS Best.-Nr.:
- 772-5440P
- Herst. Teile-Nr.:
- 2SK3793-AZ
- Marke:
- Renesas Electronics
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Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 20 - 95 | 0,872 € |
| 100 - 195 | 0,844 € |
| 200 - 495 | 0,828 € |
| 500 + | 0,816 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 772-5440P
- Herst. Teile-Nr.:
- 2SK3793-AZ
- Marke:
- Renesas Electronics
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Renesas Electronics | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 22 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 100 V | |
| Gehäusegröße | TO-220F | |
| Montage-Typ | THT | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 148 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 2.5V | |
| Verlustleistung max. | 20 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V | |
| Länge | 10mm | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 21 nC @ 10 V | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Breite | 4.5mm | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Höhe | 15mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Renesas Electronics | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 22 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 100 V | ||
Gehäusegröße TO-220F | ||
Montage-Typ THT | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 148 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 2.5V | ||
Verlustleistung max. 20 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V | ||
Länge 10mm | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 21 nC @ 10 V | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Breite 4.5mm | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Höhe 15mm | ||
