onsemi NTD18N06LT4G N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 18 A 55 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

RS Best.-Nr.:: 773-7875
Herst. Teile-Nr.:: NTD18N06LT4G
Marke:: onsemi

onsemi NTD18N06LT4G N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 18 A 55 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

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Preis pro Stück (In einer VPE à 5)

1,006 €

(ohne MwSt.)

1,197 €

(inkl. MwSt.)

Stück	Pro Stück	Pro Packung*
5 - 45	1,006 €	5,03 €
50 - 120	0,928 €	4,64 €
125 - 245	0,872 €	4,36 €
250 - 495	0,81 €	4,05 €
500 +	0,742 €	3,71 €

*Bitte VPE beachten

RS Best.-Nr.:: 773-7875
Herst. Teile-Nr.:: NTD18N06LT4G
Marke:: onsemi

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Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 60 V, ON Semiconductor

MOSFET-Transistoren, ON Semiconductor

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	18 A
Drain-Source-Spannung max.	60 V
Gehäusegröße	DPAK (TO-252)
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	65 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	2V
Verlustleistung max.	55 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-15 V, +15 V
Länge	6.73mm
Transistor-Werkstoff	Si
Betriebstemperatur max.	+175 °C
Breite	6.22mm
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Gate-Ladung typ. @ Vgs	11 nC @ 5 V
Höhe	2.38mm
Betriebstemperatur min.	-55 °C