onsemi NTD18N06L Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 18 A 55 W, 3-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 773-7875
- Herst. Teile-Nr.:
- NTD18N06LT4G
- Marke:
- onsemi
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- Marke:
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 18A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Serie | NTD18N06L | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 65mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 11nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 55W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 15V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.6V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 6.73mm | |
| Breite | 6.22mm | |
| Höhe | 2.38mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 18A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Serie NTD18N06L | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 65mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 11nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 55W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 15V | ||
Durchlassspannung Vf 1.6V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 6.73mm | ||
Breite 6.22mm | ||
Höhe 2.38mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 60 V, ON Semiconductor
MOSFET-Transistoren, ON Semiconductor
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