onsemi MCH6602-TL-E N-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 350 mA 800 mW, 6-Pin MCPH
- RS Best.-Nr.:
- 774-0825
- Herst. Teile-Nr.:
- MCH6602-TL-E
- Marke:
- ON Semiconductor
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
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- 774-0825
- Herst. Teile-Nr.:
- MCH6602-TL-E
- Marke:
- ON Semiconductor
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ON Semiconductor | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 350 mA | |
| Drain-Source-Spannung max. | 30 V | |
| Gehäusegröße | MCPH | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 12,8 Ω | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 1.3V | |
| Verlustleistung max. | 800 mW | |
| Transistor-Konfiguration | Isoliert | |
| Gate-Source Spannung max. | -10 V, +10 V | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 1,58 nC @ 10 V | |
| Breite | 1.6mm | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Länge | 2mm | |
| Höhe | 0.85mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ON Semiconductor | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 350 mA | ||
Drain-Source-Spannung max. 30 V | ||
Gehäusegröße MCPH | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 6 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 12,8 Ω | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 1.3V | ||
Verlustleistung max. 800 mW | ||
Transistor-Konfiguration Isoliert | ||
Gate-Source Spannung max. -10 V, +10 V | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 1,58 nC @ 10 V | ||
Breite 1.6mm | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Länge 2mm | ||
Höhe 0.85mm | ||