onsemi NTD4809NG N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 58 A 2,63 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
- RS Best.-Nr.:
- 780-0523
- Herst. Teile-Nr.:
- NTD4809NT4G
- Marke:
- onsemi
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 20 - 20 | 0,826 € | 16,52 € |
| 40 - 80 | 0,623 € | 12,46 € |
| 100 - 180 | 0,471 € | 9,42 € |
| 200 - 380 | 0,463 € | 9,26 € |
| 400 + | 0,453 € | 9,06 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 780-0523
- Herst. Teile-Nr.:
- NTD4809NT4G
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 58 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 30 V | |
| Gehäusegröße | DPAK (TO-252) | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 9 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 2.5V | |
| Verlustleistung max. | 2,63 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 11 nC @ 4,5 V | |
| Länge | 6.73mm | |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C | |
| Breite | 6.22mm | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Höhe | 2.38mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 58 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 30 V | ||
Gehäusegröße DPAK (TO-252) | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 9 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 2.5V | ||
Verlustleistung max. 2,63 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 11 nC @ 4,5 V | ||
Länge 6.73mm | ||
Betriebstemperatur max. +175 °C | ||
Breite 6.22mm | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||
Höhe 2.38mm | ||