onsemi NTGD1100LG N/P-Kanal Dual, SMD MOSFET 8 V / 3,3 A 830 mW, 6-Pin TSOP
- RS Best.-Nr.:
- 780-0551
- Herst. Teile-Nr.:
- NTGD1100LT1G
- Marke:
- ON Semiconductor
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- 780-0551
- Herst. Teile-Nr.:
- NTGD1100LT1G
- Marke:
- ON Semiconductor
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ON Semiconductor | |
| Channel-Typ | N, P | |
| Dauer-Drainstrom max. | 3,3 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 8 V | |
| Gehäusegröße | TSOP | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 140 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 1.2V | |
| Verlustleistung max. | 830 mW | |
| Transistor-Konfiguration | N+P-Loadswitch | |
| Gate-Source Spannung max. | +8 V | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Länge | 3.1mm | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Breite | 1.7mm | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Höhe | 1mm | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ON Semiconductor | ||
Channel-Typ N, P | ||
Dauer-Drainstrom max. 3,3 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 8 V | ||
Gehäusegröße TSOP | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 6 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 140 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 1.2V | ||
Verlustleistung max. 830 mW | ||
Transistor-Konfiguration N+P-Loadswitch | ||
Gate-Source Spannung max. +8 V | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Länge 3.1mm | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Breite 1.7mm | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Höhe 1mm | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||