onsemi NTHC5513G N/P-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 3 A; 3,9 A 2,1 W, 8-Pin ChipFET
- RS Best.-Nr.:
- 780-0573
- Herst. Teile-Nr.:
- NTHC5513T1G
- Marke:
- onsemi
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
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- NTHC5513T1G
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Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Channel-Typ | N, P | |
| Dauer-Drainstrom max. | 3 A; 3,9 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 20 V | |
| Gehäusegröße | ChipFET | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 115 mΩ, 240 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 1.2V | |
| Verlustleistung max. | 2,1 W | |
| Transistor-Konfiguration | Isoliert | |
| Gate-Source Spannung max. | -12 V, +12 V | |
| Länge | 3.1mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 2,6 nC @ 4,5 V, 3 nC @ 4,5 V | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Breite | 1.7mm | |
| Höhe | 1.1mm | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Channel-Typ N, P | ||
Dauer-Drainstrom max. 3 A; 3,9 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 20 V | ||
Gehäusegröße ChipFET | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 115 mΩ, 240 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 1.2V | ||
Verlustleistung max. 2,1 W | ||
Transistor-Konfiguration Isoliert | ||
Gate-Source Spannung max. -12 V, +12 V | ||
Länge 3.1mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 2,6 nC @ 4,5 V, 3 nC @ 4,5 V | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Breite 1.7mm | ||
Höhe 1.1mm | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||