onsemi NTJD4158CT1G N/P-Kanal-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V, 30 V / 250 mA, 880 mA 270 mW, 6-Pin SOT-363

RS Best.-Nr.:: 780-0614
Herst. Teile-Nr.:: NTJD4158CT1G
Marke:: onsemi

onsemi NTJD4158CT1G N/P-Kanal-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V, 30 V / 250 mA, 880 mA 270 mW, 6-Pin SOT-363

Zurzeit nicht verfügbar, Versand erfolgt sobald lieferbar.

Preis pro Stück (Auf einem Gurtabschnitt von 25)

0,195 €

(ohne MwSt.)

0,232 €

(inkl. MwSt.)

Stück	Pro Stück	Pro Gurtabschnitt*
25 - 100	0,195 €	4,875 €
125 - 225	0,185 €	4,625 €
250 - 600	0,175 €	4,375 €
625 - 1225	0,166 €	4,15 €
1250 +	0,16 €	4,00 €

*Bitte VPE beachten

RS Best.-Nr.:: 780-0614
Herst. Teile-Nr.:: NTJD4158CT1G
Marke:: onsemi

Mehr Infos und technische Dokumente

Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

Dual-N/P-Kanal-MOSFET, ON Semiconductor

Der NTJD1155L ist ein Zweikanal-MOSFET. Dieser MOSFET verfügt über P- und N-Kanäle in einem einzigen Gehäuse und ist hervorragend für niedrige Steuersignale, niedrige Batteriespannungen und hohe Lastströme geeignet. Der N-Kanal verfügt über einen internen ESD-Schutz und kann von Logiksignalen bis zu 1,5 V angesteuert werden, während der P-Kanal für den Einsatz in Lastschaltanwendungen konzipiert ist. Der P-Kanal wurde auch mit der Trench-Technologie von ON semi entwickelt.

MOSFET-Transistoren, ON Semiconductor

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N, P
Dauer-Drainstrom max.	250 mA, 880 mA
Drain-Source-Spannung max.	20 V, 30 V
Gehäusegröße	SOT-363
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	6
Drain-Source-Widerstand max.	2,5 Ω, 500 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	1.5V
Verlustleistung max.	270 mW
Transistor-Konfiguration	Isoliert
Gate-Source Spannung max.	-20 V, -12 V, +12 V, +20 V
Transistor-Werkstoff	Si
Breite	1.35mm
Länge	2.2mm
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Anzahl der Elemente pro Chip	2
Gate-Ladung typ. @ Vgs	0,9 nC @ 5 V, 2,2 nC @ 4,5 V
Betriebstemperatur min.	-55 °C
Höhe	1mm