onsemi Isoliert N-Kanal 2, Oberfläche Leistungs-MOSFET 60 V Erweiterung / 300 mA 266 mW, 6-Pin SC-88

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Herst. Teile-Nr.:
NTJD5121NT1G
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Produkt Typ

Leistungs-MOSFET

Kabelkanaltyp

N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

300mA

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

SC-88

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

6

Drain-Source-Widerstand Rds max.

2.5Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

0.9nC

Gate-Source-spannung max Vgs

-20, +20V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

0.8V

Maximale Verlustleistung Pd

266mW

Transistor-Konfiguration

Isoliert

Maximale Betriebstemperatur

+150°C

Höhe

1mm

Breite

1.35mm

Länge

2.2mm

Normen/Zulassungen

No

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

AEC-Q101

Dual-N-Kanal-MOSFET, ON Semiconductor


MOSFET-Transistoren, ON Semiconductor


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