onsemi NTLJD3115PG P-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 4,1 A 2,3 W, 6-Pin WDFN
- RS Best.-Nr.:
- 780-0646
- Herst. Teile-Nr.:
- NTLJD3115PT1G
- Marke:
- ON Semiconductor
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
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- Herst. Teile-Nr.:
- NTLJD3115PT1G
- Marke:
- ON Semiconductor
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ON Semiconductor | |
| Channel-Typ | P | |
| Dauer-Drainstrom max. | 4,1 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 20 V | |
| Gehäusegröße | WDFN | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 200 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 1V | |
| Verlustleistung max. | 2,3 W | |
| Transistor-Konfiguration | Isoliert | |
| Gate-Source Spannung max. | –8 V, +8 V | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 5,5 nC @ 4,5 V | |
| Länge | 2mm | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Breite | 2mm | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Höhe | 0.75mm | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ON Semiconductor | ||
Channel-Typ P | ||
Dauer-Drainstrom max. 4,1 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 20 V | ||
Gehäusegröße WDFN | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 6 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 200 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 1V | ||
Verlustleistung max. 2,3 W | ||
Transistor-Konfiguration Isoliert | ||
Gate-Source Spannung max. –8 V, +8 V | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 5,5 nC @ 4,5 V | ||
Länge 2mm | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Breite 2mm | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Höhe 0.75mm | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||