onsemi NTLUS3A40PZTAG P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 9,4 A 3,8 W, 6-Pin U-DFN2020
- RS Best.-Nr.:
- 780-0668
- Herst. Teile-Nr.:
- NTLUS3A40PZTAG
- Marke:
- ON Semiconductor
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | 0,331 € | 3,31 € |
| 50 - 190 | 0,282 € | 2,82 € |
| 200 - 490 | 0,248 € | 2,48 € |
| 500 + | 0,228 € | 2,28 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 780-0668
- Herst. Teile-Nr.:
- NTLUS3A40PZTAG
- Marke:
- ON Semiconductor
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ON Semiconductor | |
| Channel-Typ | P | |
| Dauer-Drainstrom max. | 9,4 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 20 V | |
| Gehäusegröße | U-DFN2020 | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 120 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 1V | |
| Verlustleistung max. | 3,8 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | –8 V, +8 V | |
| Breite | 2mm | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 29 nC bei 4,5 V | |
| Länge | 2mm | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Höhe | 0.5mm | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ON Semiconductor | ||
Channel-Typ P | ||
Dauer-Drainstrom max. 9,4 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 20 V | ||
Gehäusegröße U-DFN2020 | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 6 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 120 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 1V | ||
Verlustleistung max. 3,8 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. –8 V, +8 V | ||
Breite 2mm | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 29 nC bei 4,5 V | ||
Länge 2mm | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Höhe 0.5mm | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||