onsemi Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 1.37 A 329 mW, 3-Pin SC-70
- RS Best.-Nr.:
- 780-4767P
- Herst. Teile-Nr.:
- NTS4101PT1G
- Marke:
- onsemi
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- NTS4101PT1G
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 1.37A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 20V | |
| Gehäusegröße | SC-70 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 160mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 6.4nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | -1.2V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 8 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 329mW | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 1.35 mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 2.2mm | |
| Höhe | 0.9mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 1.37A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 20V | ||
Gehäusegröße SC-70 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 160mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 6.4nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf -1.2V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 8 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 329mW | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 1.35 mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 2.2mm | ||
Höhe 0.9mm | ||
Automobilstandard Nein | ||