onsemi NTUD3169CZG N/P-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 250 mA, 280 mA 200 mW, 6-Pin SOT-963
- RS Best.-Nr.:
- 780-4783
- Herst. Teile-Nr.:
- NTUD3169CZT5G
- Marke:
- onsemi
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
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- Herst. Teile-Nr.:
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Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Channel-Typ | N, P | |
| Dauer-Drainstrom max. | 250 mA, 280 mA | |
| Drain-Source-Spannung max. | 20 V | |
| Gehäusegröße | SOT-963 | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 4,5 Ω, 10 Ω | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 1V | |
| Verlustleistung max. | 200 mW | |
| Transistor-Konfiguration | Isoliert | |
| Gate-Source Spannung max. | –8 V, +8 V | |
| Breite | 0.85mm | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Länge | 1.05mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Höhe | 0.4mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Channel-Typ N, P | ||
Dauer-Drainstrom max. 250 mA, 280 mA | ||
Drain-Source-Spannung max. 20 V | ||
Gehäusegröße SOT-963 | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 6 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 4,5 Ω, 10 Ω | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 1V | ||
Verlustleistung max. 200 mW | ||
Transistor-Konfiguration Isoliert | ||
Gate-Source Spannung max. –8 V, +8 V | ||
Breite 0.85mm | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Länge 1.05mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||
Höhe 0.4mm | ||