STMicroelectronics MDmesh STD3NM60N N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 3,3 A 50 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

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RS Best.-Nr.:
783-2905
Herst. Teile-Nr.:
STD3NM60N
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

3,3 A

Drain-Source-Spannung max.

650 V

Gehäusegröße

DPAK (TO-252)

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

1,8 Ω

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

4V

Gate-Schwellenspannung min.

2V

Verlustleistung max.

50 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

–25 V, +25 V

Länge

6.6mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Breite

6.2mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

9,5 nC @ 10 V

Transistor-Werkstoff

Si

Serie

MDmesh

Höhe

2.4mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Ursprungsland:
CN

N-Kanal MDmesh™, 600 V/650 V, STMicroelectronics



MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics