STMicroelectronics MDmesh N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 10 A 3 W, 5-Pin PowerFLAT HS
- RS Best.-Nr.:
- 783-2908
- Herst. Teile-Nr.:
- STL13NM60N
- Marke:
- STMicroelectronics
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
- RS Best.-Nr.:
- 783-2908
- Herst. Teile-Nr.:
- STL13NM60N
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 10 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 650 V | |
| Gehäusegröße | PowerFLAT HS | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 5 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 385 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 4V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 2V | |
| Verlustleistung max. | 3 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | –25 V, +25 V | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 30 nC @ 10 V | |
| Länge | 8mm | |
| Breite | 8mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Höhe | 0.95mm | |
| Serie | MDmesh | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 10 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 650 V | ||
Gehäusegröße PowerFLAT HS | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 5 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 385 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 4V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 2V | ||
Verlustleistung max. 3 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. –25 V, +25 V | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 30 nC @ 10 V | ||
Länge 8mm | ||
Breite 8mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Höhe 0.95mm | ||
Serie MDmesh | ||