STMicroelectronics MDmesh STB32NM50N N-Kanal, SMD MOSFET 500 V / 22 A 190 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

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RS Best.-Nr.:
783-2911
Herst. Teile-Nr.:
STB32NM50N
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

22 A

Drain-Source-Spannung max.

500 V

Gehäusegröße

D2PAK (TO-263)

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

130 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

4V

Gate-Schwellenspannung min.

2V

Verlustleistung max.

190 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

–25 V, +25 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Transistor-Werkstoff

Si

Gate-Ladung typ. @ Vgs

62,5 nC @ 10 V

Breite

9.35mm

Länge

10.4mm

Höhe

4.6mm

Serie

MDmesh

Ursprungsland:
CN

N-Kanal MDmesh™, 500 V, STMicroelectronics



MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics