STMicroelectronics MDmesh M5 STFI20N65M5 N-Kanal, THT MOSFET 710 V / 18 A 30 W, 3-Pin I2PAKFP

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RS Best.-Nr.:
783-2942
Herst. Teile-Nr.:
STFI20N65M5
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

18 A

Drain-Source-Spannung max.

710 V

Gehäusegröße

I2PAKFP

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

190 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

5V

Gate-Schwellenspannung min.

3V

Verlustleistung max.

30 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

–25 V, +25 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Gate-Ladung typ. @ Vgs

36 nC @ 10 V

Breite

4.6mm

Transistor-Werkstoff

Si

Länge

10.4mm

Serie

MDmesh M5

Höhe

10.85mm

Ursprungsland:
CN

N-Kanal MDmesh™ M5-Serie, STMicroelectronics


Die Leistungs-MOSFETs MDmesh M5 sind für Hochleistungs-PFC- und -PWM-Topologien optimiert. Die Hauptmerkmale umfassen geringe Verluste in Durchlassrichtung pro Siliziumfläche und eine geringe Gate-Ladung. Sie wurden für energiebewusste, kompakte und zuverlässige Anwendungen mit harten Schaltvorgängen wie Solarstromrichter, Netzteile für Verbrauchergeräte und elektronische Beleuchtungssteuerungen entwickelt.


MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics