STMicroelectronics MDmesh M5 STW36N55M5 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 33 A 190 W, 3-Pin TO-247

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RS Best.-Nr.:
783-2970
Herst. Teile-Nr.:
STW36N55M5
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

33 A

Drain-Source-Spannung max.

600 V

Gehäusegröße

TO-247

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

80 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

5V

Gate-Schwellenspannung min.

3V

Verlustleistung max.

190 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

–25 V, +25 V

Gate-Ladung typ. @ Vgs

62 nC @ 10 V

Länge

15.75mm

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Breite

5.15mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Transistor-Werkstoff

Si

Höhe

20.15mm

Serie

MDmesh M5

Ursprungsland:
CN

N-Kanal MDmesh™ M5-Serie, STMicroelectronics


Die Leistungs-MOSFETs MDmesh M5 sind für Hochleistungs-PFC- und -PWM-Topologien optimiert. Die Hauptmerkmale umfassen geringe Verluste in Durchlassrichtung pro Siliziumfläche und eine geringe Gate-Ladung. Sie wurden für energiebewusste, kompakte und zuverlässige Anwendungen mit harten Schaltvorgängen wie Solarstromrichter, Netzteile für Verbrauchergeräte und elektronische Beleuchtungssteuerungen entwickelt.


MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics