STMicroelectronics MDmesh M5 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 710 V / 30 A 35 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 783-2983P
- Herst. Teile-Nr.:
- STF38N65M5
- Marke:
- STMicroelectronics
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme 5 Stück (geliefert in Stange)*
23,00 €
(ohne MwSt.)
27,35 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 18. Mai 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 5 - 9 | 4,60 € |
| 10 - 24 | 4,13 € |
| 25 - 49 | 3,72 € |
| 50 + | 3,53 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 783-2983P
- Herst. Teile-Nr.:
- STF38N65M5
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 30A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 710V | |
| Serie | MDmesh M5 | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 95mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 35W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 71nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.5V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 25 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 4.6 mm | |
| Höhe | 16.4mm | |
| Länge | 10.4mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 30A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 710V | ||
Serie MDmesh M5 | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 95mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 35W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 71nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.5V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 25 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 4.6 mm | ||
Höhe 16.4mm | ||
Länge 10.4mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
N-Kanal MDmesh™ M5-Serie, STMicroelectronics
Die Leistungs-MOSFETs MDmesh M5 sind für Hochleistungs-PFC- und -PWM-Topologien optimiert. Die Hauptmerkmale umfassen geringe Verluste in Durchlassrichtung pro Siliziumfläche und eine geringe Gate-Ladung. Sie wurden für energiebewusste, kompakte und zuverlässige Anwendungen mit harten Schaltvorgängen wie Solarstromrichter, Netzteile für Verbrauchergeräte und elektronische Beleuchtungssteuerungen entwickelt.