STMicroelectronics MDmesh M5 STD18N65M5 N-Kanal, SMD MOSFET 710 V / 15 A 110 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

RS Best.-Nr.:: 783-3030
Herst. Teile-Nr.:: STD18N65M5
Marke:: STMicroelectronics

STMicroelectronics MDmesh M5 STD18N65M5 N-Kanal, SMD MOSFET 710 V / 15 A 110 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

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Preis pro Stück (In einer VPE à 5)

2,808 €

(ohne MwSt.)

3,342 €

(inkl. MwSt.)

Stück	Pro Stück	Pro Packung*
5 - 20	2,808 €	14,04 €
25 - 45	2,668 €	13,34 €
50 - 120	2,398 €	11,99 €
125 - 245	2,16 €	10,80 €
250 +	2,05 €	10,25 €

*Bitte VPE beachten

RS Best.-Nr.:: 783-3030
Herst. Teile-Nr.:: STD18N65M5
Marke:: STMicroelectronics

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Rechtliche Anforderungen

Ursprungsland:: CN

Produktdetails

N-Kanal MDmesh™ M5-Serie, STMicroelectronics

Die Leistungs-MOSFETs MDmesh M5 sind für Hochleistungs-PFC- und -PWM-Topologien optimiert. Die Hauptmerkmale umfassen geringe Verluste in Durchlassrichtung pro Siliziumfläche und eine geringe Gate-Ladung. Sie wurden für energiebewusste, kompakte und zuverlässige Anwendungen mit harten Schaltvorgängen wie Solarstromrichter, Netzteile für Verbrauchergeräte und elektronische Beleuchtungssteuerungen entwickelt.

MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	15 A
Drain-Source-Spannung max.	710 V
Serie	MDmesh M5
Gehäusegröße	DPAK (TO-252)
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	220 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	5V
Gate-Schwellenspannung min.	3V
Verlustleistung max.	110 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	–25 V, +25 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs	31 nC @ 10 V
Breite	6.2mm
Transistor-Werkstoff	Si
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Länge	6.6mm
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Höhe	2.4mm