STMicroelectronics MDmesh M2 STFI24N60M2 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 18 A 30 W, 3-Pin I2PAKFP

Alle MOSFET anzeigen
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
783-3100
Herst. Teile-Nr.:
STFI24N60M2
Marke:
STMicroelectronics
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

STMicroelectronics

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

18 A

Drain-Source-Spannung max.

650 V

Gehäusegröße

I2PAKFP

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

190 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

4V

Gate-Schwellenspannung min.

2V

Verlustleistung max.

30 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

–25 V, +25 V

Breite

4.6mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

29 nC @ 10 V

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Länge

10.4mm

Transistor-Werkstoff

Si

Höhe

10.85mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Serie

MDmesh M2

Ursprungsland:
CN

N-Kanal MDmesh™ M2-Serie, STMicroelectronics


Eine Serie von Hochspannungsleistungs-MOSFETs von STMicroelecronics. Mit ihrer geringen Gate-Ladung und der ausgezeichneten Ausgangskapazität eignet sich die Serie MDmesh M2 perfekt für den Einsatz in Resonanzschaltnetzgeräten (LLC-Wandler).


MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics