Infineon HEXFET IRFZ48NSPBF N-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 64 A 130 W, 4-Pin SMD-220

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RS Best.-Nr.:
784-0307
Herst. Teile-Nr.:
IRFZ48NSPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

64 A

Drain-Source-Spannung max.

55 V

Gehäusegröße

SMD-220

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand max.

14 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

4V

Gate-Schwellenspannung min.

2V

Verlustleistung max.

130 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Transistor-Werkstoff

Si

Breite

9.65mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

81 nC @ 10 V

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Länge

10.67mm

Serie

HEXFET

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Höhe

4.83mm