Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 300 V / 38 A 341 W, 3-Pin TO-247AC

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RS Best.-Nr.:
784-8944
Herst. Teile-Nr.:
IRFP4137PBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

38 A

Drain-Source-Spannung max.

300 V

Serie

HEXFET

Gehäusegröße

TO-247AC

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

69 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

5V

Gate-Schwellenspannung min.

3V

Verlustleistung max.

341 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Länge

16.13mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Transistor-Werkstoff

Si

Gate-Ladung typ. @ Vgs

83 nC @ 10 V

Breite

5.2mm

Diodendurchschlagsspannung

1.3V

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Höhe

21.1mm

Ursprungsland:
MX

Infineon HEXFET Serie MOSFET, 38A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 341W maximale Verlustleistung - IRFP4137PBF


Dieser N-Kanal-MOSFET wurde für Hochleistungsanwendungen entwickelt und bewältigt kontinuierliche Drain-Ströme von bis zu 38 A bei einer maximalen Drain-Source-Spannung von 300 V. Seine Enhancement-Mode-Konfiguration sorgt für verbesserte Effizienz und Leistung in elektronischen Schaltungen und macht ihn zu einem wichtigen Bauteil für verschiedene industrielle Anwendungen. Der MOSFET ist robust und gewährleistet einen zuverlässigen Betrieb unter schwierigen Bedingungen.

Eigenschaften und Vorteile


• Hocheffiziente Synchrongleichrichtung trägt zu Energieeinsparungen bei
• Verbesserte Gate-, Avalanche- und dynamische Widerstandsfähigkeit erhöhen die Haltbarkeit
• Niedriger Rds(on)-Wert minimiert den Leistungsverlust während des Betriebs
• Thermische Leistung widersteht Temperaturen bis zu +175°C

Anwendungsbereich


• Wird für die synchrone Gleichrichtung in Schaltnetzteilen verwendet
• Geeignet für hart schaltende und hochfrequente Schaltungsentwürfe
• Einsatz in unterbrechungsfreien Stromversorgungssystemen für erhöhte Zuverlässigkeit

Wie hoch ist die maximal zulässige Gate-Source-Spannung für einen sicheren Betrieb?


Der Baustein kann eine maximale Gate-Source-Spannung von ±20V sicher handhaben, was die Kompatibilität in verschiedenen Anwendungen gewährleistet.

Wie kann dieses Gerät bei Hochleistungsanwendungen effektiv gekühlt werden?


Eine wirksame Kühlung kann durch die Verwendung eines geeigneten Kühlkörpers und die Sicherstellung eines angemessenen Luftstroms erreicht werden, um die Sperrschichttemperaturen während des Betriebs unter 175 °C zu halten.

Welche Art von Schaltungskonfigurationen kann dieser MOSFET unterstützen?


Er eignet sich für Einzeltransistorkonfigurationen und ermöglicht die Integration in verschiedene Schaltungsdesigns mit hoher Effizienz.

Was geschieht mit der Leistung bei höheren Temperaturen?


Bei höheren Temperaturen sinkt der Nennwert des Dauerableitstroms

bei 100°C ist er für 27A ausgelegt, bei 25°C dagegen für 38A.