Infineon HEXFET AUIRFS3307Z N-Kanal, SMD MOSFET 75 V / 120 A, 128 A 230 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
784-9183
Herst. Teile-Nr.:
AUIRFS3307Z
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

120 A, 128 A

Drain-Source-Spannung max.

75 V

Gehäusegröße

D2PAK (TO-263)

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

5,8 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

4V

Gate-Schwellenspannung min.

2V

Verlustleistung max.

230 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Breite

9.65mm

Transistor-Werkstoff

Si

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Gate-Ladung typ. @ Vgs

79 nC @ 10 V

Länge

10.67mm

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Höhe

4.83mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Serie

HEXFET

Ursprungsland:
MX