Infineon Einfach HEXFET N-Kanal 1, Durchsteckmontage MOSFET 55 V Erweiterung / 86 A 130 W, 3-Pin JEDEC TO-220AB
- RS Best.-Nr.:
- 784-9215P
- Herst. Teile-Nr.:
- AUIRL3705Z
- Marke:
- Infineon
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- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 86A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 55V | |
| Serie | HEXFET | |
| Gehäusegröße | JEDEC TO-220AB | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 8mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 130W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -16V, +16V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Höhe | 9.02mm | |
| Breite | 4.83mm | |
| Länge | 10.67mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 86A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 55V | ||
Serie HEXFET | ||
Gehäusegröße JEDEC TO-220AB | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 8mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 130W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -16V, +16V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Höhe 9.02mm | ||
Breite 4.83mm | ||
Länge 10.67mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
- Ursprungsland:
- MX
Infineon HEXFET Serie MOSFET, 75A/86A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 130W maximale Verlustleistung - AUIRL3705Z
Dieser MOSFET ist auf Anwendungen im Automobilbereich zugeschnitten und gewährleistet eine solide Leistung in anspruchsvollen Umgebungen. Er umfasst fortschrittliche Verarbeitungstechniken, die die Effizienz und den geringeren Widerstand im eingeschalteten Zustand erhöhen, womit er für Hochstromsysteme von entscheidender Bedeutung ist. Die umfassenden Sicherheits- und Wärmemanagementfunktionen verstärken seine Bedeutung in modernen elektronischen Anwendungen.
Merkmale und Vorteile
• Maximaler Dauerentladestrom von 86 A für robusten Einsatz
• Niedriger Einschaltwiderstand von bis zu 8 mΩ für verbesserte Effizienz
• Schnelles Umschalten zur Optimierung der Gesamtleistung des Systems
• Zuverlässiger Betrieb bei hohen Temperaturen, bis zu 175°C
• Entspricht den Qualifikationen für die Automobilindustrie gemäß AEC-Q101-Normen
• Hohe Verlustleistung von bis zu 130 W
Anwendungen
• Geeignet für Energiemanagementsysteme in Kraftfahrzeugen
• Einsatz in Elektrofahrzeug-Antriebssträngen
• Einsetzbar in DC-DC-Wandlern in der Automobilelektronik
• Eingesetzt in Batteriemanagementsystemen
• Wirksam für die Motorsteuerung in Maschinen
Wie hoch ist die maximale Gate-Source-Spannung, die dieses Bauteil verarbeiten kann?
Er kann eine maximale Gate-Source-Spannung von ±16V verwalten, was die Kompatibilität mit verschiedenen Steuerschaltungen gewährleistet.
Welchen Nutzen hat die Hochstromfähigkeit für meine Anwendung?
Der kontinuierliche Drain-Strom von 86 A ermöglicht einen stabilen Betrieb in stromintensiven Anwendungen, erhöht die Effizienz und reduziert die thermische Belastung.
Kann dieses Bauteil bei hohen Temperaturen effizient arbeiten?
Ja, es ist für einen effektiven Betrieb bei Temperaturen bis zu 175 °C ausgelegt und damit für den Einsatz im Automobilbereich geeignet.
Besteht die Gefahr von Schäden, wenn die empfohlenen Betriebsbedingungen überschritten werden?
Ja, eine Überschreitung der angegebenen absoluten Höchstwerte kann zu dauerhaften Geräteschäden führen. Es ist wichtig, dass die empfohlenen Grenzwerte für die Zuverlässigkeit eingehalten werden.
Wie wirkt sich die niedrige Rds(on)-Spezifikation auf die Leistung aus?
Der niedrige Rds(on) verbessert die Energieeffizienz durch Minimierung der Verlustleistung, was zu einer verbesserten Gesamtsystemleistung führt.