STMicroelectronics MDmesh M2 STU9N60M2 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 5,5 A 60 W, 3-Pin IPAK (TO-251)

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RS Best.-Nr.:
786-3836
Herst. Teile-Nr.:
STU9N60M2
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

5,5 A

Drain-Source-Spannung max.

650 V

Gehäusegröße

IPAK (TO-251)

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

780 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

4V

Gate-Schwellenspannung min.

2V

Verlustleistung max.

60 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

–25 V, +25 V

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Länge

6.6mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

10 nC @ 10 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Breite

2.4mm

Transistor-Werkstoff

Si

Höhe

6.2mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Serie

MDmesh M2