Vishay D Series SIHU3N50D-GE3 N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 3 A 104 W, 3-Pin IPAK (TO-251AA)

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RS Best.-Nr.:
787-9190
Herst. Teile-Nr.:
SIHU3N50D-GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

3 A

Drain-Source-Spannung max.

500 V

Gehäusegröße

IPAK (TO-251AA)

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

3,2 Ω

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung min.

3V

Verlustleistung max.

104 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-30 V, +30 V

Transistor-Werkstoff

Si

Breite

2.39mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

6 nC @ 10 V

Länge

6.73mm

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Serie

D Series

Höhe

6.22mm