Vishay Einfach Typ N, Typ N-Kanal, Oberfläche, SMD MOSFET 100 V Erweiterung / 1.15 A 1.25 W, 3-Pin SOT-23
- RS Best.-Nr.:
- 787-9229P
- Herst. Teile-Nr.:
- SI2328DS-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
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- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ N, Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 1.15A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Gehäusegröße | SOT-23 | |
| Montageart | Oberfläche, SMD | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 2.4Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1.25W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 1.45nC | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 3.04mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 1.02mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ N, Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 1.15A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Gehäusegröße SOT-23 | ||
Montageart Oberfläche, SMD | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 2.4Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1.25W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 1.45nC | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 3.04mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 1.02mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
N-Kanal-MOSFET, 100 V bis 150 V, Vishay Semiconductor
MOSFET-Transistoren, Vishay Semiconductor
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