Vishay Si7454DDP N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 21 A 29.7 W, 8-Pin SO-8

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Herst. Teile-Nr.:
SI7454DDP-T1-GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

21A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Serie

Si7454DDP

Gehäusegröße

SO-8

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

47mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

-20, +20V

Maximale Verlustleistung Pd

29.7W

Durchlassspannung Vf

1.2V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

12.8nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

6.25mm

Breite

5.26mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

1.12mm

Automobilstandard

Nein

N-Kanal MOSFET, 100 V bis 150 V, Vishay Semiconductor


MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor


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