Vishay E Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 29 A 250 W, 3-Pin SiHG30N60E-GE3 TO-247

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RS Best.-Nr.:
787-9421
Herst. Teile-Nr.:
SiHG30N60E-GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

29A

Drain-Source-Spannung Vds max.

600V

Gehäusegröße

TO-247

Serie

E

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

125mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.3V

Maximale Verlustleistung Pd

250W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

85nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

15.87mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

20.82mm

Breite

5.31 mm

Automobilstandard

Nein

N-Kanal-MOSFET, E-Serie, Niedriger Gütefaktor, Vishay Semiconductor


Die Leistungs-MOSFETs der Serie E von Vishay umfassen Hochspannungs-Transistoren mit einem ultraniedrigen maximalen Widerstand und niedrigem Gütefaktor und ermöglichen schnelles Schalten. Sie sind in zahlreichen Nennströmen erhältlich. Typische Anwendungen umfassen Server und Stromversorgung für die Telekommunikation, LED-Beleuchtung, Sperrwandler, Leistungsfaktorkorrektur (PFC) und Schaltnetzteile (SMPS).

Merkmale


Niedriger Gütefaktor (FOM), niedriger RDS(ein) x Qg

Niedrige Eingangskapazität (Ciss)

Niedriger Widerstand (RDS(ein))

Ultraniedrige Gatterladung (Qg)

Schnelle Schaltgeschwindigkeit

Verringerte Schalt- und Steuerungsverluste

MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor


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