onsemi 2V7002WT1G N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 340 mA 330 mW, 3-Pin SOT-323
- RS Best.-Nr.:
- 790-5246
- Herst. Teile-Nr.:
- 2V7002WT1G
- Marke:
- onsemi
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Stück | Pro Stück | Pro Gurtabschnitt* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 0,339 € | 16,95 € |
| 100 - 950 | 0,139 € | 6,95 € |
| 1000 - 2950 | 0,099 € | 4,95 € |
| 3000 + | 0,077 € | 3,85 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 790-5246
- Herst. Teile-Nr.:
- 2V7002WT1G
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 340 mA | |
| Drain-Source-Spannung max. | 60 V | |
| Gehäusegröße | SOT-323 | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 2,5 Ω | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 2.5V | |
| Verlustleistung max. | 330 mW | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Breite | 1.35mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 0,7 nC @ 4,5 V | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Länge | 2.2mm | |
| Höhe | 0.9mm | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 340 mA | ||
Drain-Source-Spannung max. 60 V | ||
Gehäusegröße SOT-323 | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 2,5 Ω | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 2.5V | ||
Verlustleistung max. 330 mW | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Breite 1.35mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 0,7 nC @ 4,5 V | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Länge 2.2mm | ||
Höhe 0.9mm | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||