STMicroelectronics DeepGate, STripFET STI300N4F6 N-Kanal, THT MOSFET 40 V / 160 A 300 W, 3-Pin I2PAK (TO-262)

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RS Best.-Nr.:
791-7696
Herst. Teile-Nr.:
STI300N4F6
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

160 A

Drain-Source-Spannung max.

40 V

Gehäusegröße

I2PAK (TO-262)

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

2,2 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

4V

Gate-Schwellenspannung min.

2V

Verlustleistung max.

300 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Breite

4.6mm

Länge

10.4mm

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Transistor-Werkstoff

Si

Gate-Ladung typ. @ Vgs

240 nC @ 10 V

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Serie

DeepGate, STripFET

Höhe

9.35mm

N-Kanal STripFET™ DeepGate™, STMicroelectronics


STripFET™ MOSFETs mit einem breiten Durchschlagsspannungs-Bereich bieten eine besonders geringe Gate-Ladung und einen niedrigen Einschaltwiderstand.


MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics