STMicroelectronics MDmesh K5, SuperMESH5 N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 6 A 110 W, 3-Pin IPAK (TO-251)

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RS Best.-Nr.:
791-7946
Herst. Teile-Nr.:
STU7N80K5
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

6 A

Drain-Source-Spannung max.

800 V

Serie

MDmesh K5, SuperMESH5

Gehäusegröße

IPAK (TO-251)

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

1,2 Ω

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

5V

Gate-Schwellenspannung min.

3V

Verlustleistung max.

110 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-30 V, +30 V

Gate-Ladung typ. @ Vgs

13,4 nC bei 10 V

Länge

6.6mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Breite

2.4mm

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Transistor-Werkstoff

Si

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Höhe

6.2mm

N-Kanal MDmesh™ K5-Serie, SuperMESH5™, STMicroelectronics



MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics