STMicroelectronics MDmesh K3, SuperMESH3 STD1HN60K3 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 1,2 A 27 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

Alle MOSFET anzeigen
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
791-9289
Herst. Teile-Nr.:
STD1HN60K3
Marke:
STMicroelectronics
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

STMicroelectronics

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

1,2 A

Drain-Source-Spannung max.

600 V

Gehäusegröße

DPAK (TO-252)

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

8 Ω

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

4.5V

Gate-Schwellenspannung min.

2V

Verlustleistung max.

27 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-30 V, +30 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Breite

6.2mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

9,5 nC @ 10 V

Transistor-Werkstoff

Si

Länge

6.6mm

Höhe

2.4mm

Serie

MDmesh K3, SuperMESH3

Betriebstemperatur min.

-55 °C