onsemi ECH8660-TL-H N/P-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 4,5 A 1,3 W, 8-Pin ECH
- RS Best.-Nr.:
- 791-9443
- Herst. Teile-Nr.:
- ECH8660-TL-H
- Marke:
- ON Semiconductor
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- 791-9443
- Herst. Teile-Nr.:
- ECH8660-TL-H
- Marke:
- ON Semiconductor
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ON Semiconductor | |
| Channel-Typ | N, P | |
| Dauer-Drainstrom max. | 4,5 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 30 V | |
| Gehäusegröße | ECH | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 59 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 2.6V | |
| Verlustleistung max. | 1,3 W | |
| Transistor-Konfiguration | Isoliert | |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Länge | 2.9mm | |
| Breite | 2.3mm | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 10 nC @ 10 V, 4,4 nC @ 10 V | |
| Höhe | 0.9mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ON Semiconductor | ||
Channel-Typ N, P | ||
Dauer-Drainstrom max. 4,5 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 30 V | ||
Gehäusegröße ECH | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 59 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 2.6V | ||
Verlustleistung max. 1,3 W | ||
Transistor-Konfiguration Isoliert | ||
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Länge 2.9mm | ||
Breite 2.3mm | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 10 nC @ 10 V, 4,4 nC @ 10 V | ||
Höhe 0.9mm | ||