Nexperia 2N7002P Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 360 mA 420 mW, 3-Pin 2N7002P,215 SOT-23
- RS Best.-Nr.:
- 792-0765
- Herst. Teile-Nr.:
- 2N7002P,215
- Marke:
- Nexperia
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Rolle mit 150 Stück)*
6,90 €
(ohne MwSt.)
8,25 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Auf Lager
- 150 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
- Zusätzlich 215.700 Einheit(en) mit Versand ab 07. Januar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 150 - 1350 | 0,046 € | 6,90 € |
| 1500 + | 0,025 € | 3,75 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 792-0765
- Herst. Teile-Nr.:
- 2N7002P,215
- Marke:
- Nexperia
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Nexperia | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 360mA | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Serie | 2N7002P | |
| Gehäusegröße | SOT-23 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.6Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 420mW | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 0.6nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 1mm | |
| Breite | 1.4 mm | |
| Länge | 3mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Nexperia | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 360mA | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Serie 2N7002P | ||
Gehäusegröße SOT-23 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.6Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 420mW | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 0.6nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 1mm | ||
Breite 1.4 mm | ||
Länge 3mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
N-Kanal-MOSFET, 60–80 V, Nexperia
MOSFET-Transistoren, NXP Semiconductors
Verwandte Links
- Nexperia N-Kanal 3-Pin SOT-23
- Nexperia P-Kanal 3-Pin SOT-23
- Nexperia N-Kanal 3-Pin SOT-23
- Nexperia P-Kanal 3-Pin SOT-23
- Nexperia P-Kanal5 A 415 mW, 3-Pin SOT-23
- Nexperia P-Kanal 3-Pin SOT-23
- Nexperia Zenerdiode Einfach 1 Element/Chip SMD 5V / 250 mW max, SOT-23 (TO-236AB) 3-Pin
- DiodesZetex N-Kanal 3-Pin SOT-323
