Nexperia BSS138PW,115 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 320 mA 310 mW, 3-Pin SOT-323
- RS Best.-Nr.:
- 792-0904
- Herst. Teile-Nr.:
- BSS138PW,115
- Marke:
- Nexperia
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300 Lieferbar am folgenden Werktag (Mo-Fr) bei Bestelleingang werktags bis 22 Uhr.
23900 weitere lieferbar innerhalb 1 Werktag(e) (Mo-Fr).
Preis pro Stück (Auf einer Rolle von 100)
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(ohne MwSt.)
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(inkl. MwSt.)
| Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
| 100 - 100 | 0,127 € | 12,70 € |
| 200 - 400 | 0,109 € | 10,90 € |
| 500 - 900 | 0,098 € | 9,80 € |
| 1000 - 1900 | 0,052 € | 5,20 € |
| 2000 + | 0,051 € | 5,10 € |
| *Bitte VPE beachten | ||
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- Herst. Teile-Nr.:
- BSS138PW,115
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
N-Kanal-MOSFET, 60–80 V, Nexperia
MOSFET-Transistoren, NXP Semiconductors
Technische Daten
| Eigenschaft | Wert |
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 320 mA |
| Drain-Source-Spannung max. | 60 V |
| Gehäusegröße | SOT-323 |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 3 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 1,6 Ω |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 1.5V |
| Gate-Schwellenspannung min. | 0.9V |
| Verlustleistung max. | 310 mW |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V |
| Breite | 1.35mm |
| Transistor-Werkstoff | Si |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 0,72 nC @ 4,5 V |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C |
| Länge | 2.2mm |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Höhe | 1mm |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C |
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