onsemi P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 3 A 1 W, 3-Pin CPH
- RS Best.-Nr.:
- 792-5234
- Herst. Teile-Nr.:
- CPH3350-TL-H
- Marke:
- ON Semiconductor
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 20 - 20 | 0,336 € | 6,72 € |
| 40 - 180 | 0,276 € | 5,52 € |
| 200 - 380 | 0,261 € | 5,22 € |
| 400 - 780 | 0,247 € | 4,94 € |
| 800 + | 0,232 € | 4,64 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 792-5234
- Herst. Teile-Nr.:
- CPH3350-TL-H
- Marke:
- ON Semiconductor
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ON Semiconductor | |
| Channel-Typ | P | |
| Dauer-Drainstrom max. | 3 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 20 V | |
| Gehäusegröße | CPH | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 196 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 1.3V | |
| Verlustleistung max. | 1 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | -10 V, +10 V | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Breite | 1.6mm | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 4,6 nC bei 4,5 V | |
| Länge | 2.9mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Höhe | 0.9mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ON Semiconductor | ||
Channel-Typ P | ||
Dauer-Drainstrom max. 3 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 20 V | ||
Gehäusegröße CPH | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 196 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 1.3V | ||
Verlustleistung max. 1 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. -10 V, +10 V | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Breite 1.6mm | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 4,6 nC bei 4,5 V | ||
Länge 2.9mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Höhe 0.9mm | ||