STMicroelectronics MDmesh K5, SuperMESH5 N-Kanal, SMD MOSFET 800 V / 12 A 190 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

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RS Best.-Nr.:
792-5704
Herst. Teile-Nr.:
STB13N80K5
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

12 A

Drain-Source-Spannung max.

800 V

Gehäusegröße

D2PAK (TO-263)

Serie

MDmesh K5, SuperMESH5

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

450 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

5V

Gate-Schwellenspannung min.

3V

Verlustleistung max.

190 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-30 V, +30 V

Transistor-Werkstoff

Si

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Breite

9.35mm

Länge

10.4mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

29 nC @ 10 V

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Höhe

4.6mm

N-Kanal MDmesh™ K5-Serie, SuperMESH5™, STMicroelectronics



MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics