STMicroelectronics MDmesh N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 5 A 45 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

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RS Best.-Nr.:
792-5710
Herst. Teile-Nr.:
STB7ANM60N
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

5 A

Drain-Source-Spannung max.

600 V

Serie

MDmesh

Gehäusegröße

DPAK (TO-252)

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

900 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

4V

Gate-Schwellenspannung min.

2V

Verlustleistung max.

45 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

–25 V, +25 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Länge

6.6mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

14 nC @ 10 V

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Breite

6.2mm

Transistor-Werkstoff

Si

Höhe

2.4mm