STMicroelectronics DeepGate, STripFET STD80N6F6 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 80 A 120 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

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RS Best.-Nr.:
792-5735
Herst. Teile-Nr.:
STD80N6F6
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

80 A

Drain-Source-Spannung max.

60 V

Gehäusegröße

DPAK (TO-252)

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

6,5 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

4.5V

Gate-Schwellenspannung min.

3V

Verlustleistung max.

120 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Breite

9.35mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

122 nC @ 10 V

Länge

10.4mm

Transistor-Werkstoff

Si

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Höhe

4.6mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Serie

DeepGate, STripFET