STMicroelectronics STripFET H7 STF30N10F7 N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 24 A 25 W, 3-Pin TO-220FP

RS Best.-Nr.:: 792-5745
Herst. Teile-Nr.:: STF30N10F7
Marke:: STMicroelectronics

STMicroelectronics STripFET H7 STF30N10F7 N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 24 A 25 W, 3-Pin TO-220FP

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STD30N10F7,STF30N10F7, N-channel 100V, 0.02 Ohm typ., 35A STripFET VII DeepGATE Power MOSFET in DPAK and TO-220FP packages Data Sheet
ESD Control Selection Guide V1

Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

N-Kanal STripFET™ H7-Serie, STMicroelectronics

STripFET™ MOSFETs mit einem breiten Durchschlagsspannungs-Bereich bieten eine besonders geringe Gate-Ladung und einen niedrigen Einschaltwiderstand.

MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	24 A
Drain-Source-Spannung max.	100 V
Gehäusegröße	TO-220FP
Serie	STripFET H7
Montage-Typ	THT
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	24 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	4.5V
Gate-Schwellenspannung min.	2.5V
Verlustleistung max.	25 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Betriebstemperatur max.	+175 °C
Länge	10.4mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs	19 nC @ 10 V
Breite	16.4mm
Transistor-Werkstoff	Si
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Betriebstemperatur min.	-55 °C
Höhe	4.6mm

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