STMicroelectronics DeepGate, STripFET STH160N4LF6-2 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 120 A 150 W, 3-Pin H2PAK-2

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
792-5849
Herst. Teile-Nr.:
STH160N4LF6-2
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

120 A

Drain-Source-Spannung max.

40 V

Gehäusegröße

H2PAK-2

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

3,2 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung min.

1V

Verlustleistung max.

150 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Gate-Ladung typ. @ Vgs

180 nC

Länge

15.8mm

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Transistor-Werkstoff

Si

Serie

DeepGate, STripFET

Betriebstemperatur min.

–55 °C

N-Kanal STripFET™ DeepGate™, STMicroelectronics


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MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics