STMicroelectronics DeepGate, STripFET STH160N4LF6-2 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 120 A 150 W, 3-Pin H2PAK-2
- RS Best.-Nr.:
- 792-5849
- Herst. Teile-Nr.:
- STH160N4LF6-2
- Marke:
- STMicroelectronics
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 1,356 € | 6,78 € |
| 50 - 95 | 1,328 € | 6,64 € |
| 100 + | 1,094 € | 5,47 € |
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- 792-5849
- Herst. Teile-Nr.:
- STH160N4LF6-2
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 120 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 40 V | |
| Gehäusegröße | H2PAK-2 | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 3,2 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 1V | |
| Verlustleistung max. | 150 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 180 nC | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C | |
| Länge | 15.8mm | |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C | |
| Serie | DeepGate, STripFET | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 120 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 40 V | ||
Gehäusegröße H2PAK-2 | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 3,2 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung min. 1V | ||
Verlustleistung max. 150 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 180 nC | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Betriebstemperatur max. +175 °C | ||
Länge 15.8mm | ||
Betriebstemperatur min. –55 °C | ||
Serie DeepGate, STripFET | ||