STMicroelectronics STripFET H7 STI45N10F7 N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 45 A 60 W, 3-Pin I2PAK (TO-262)

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RS Best.-Nr.:
792-5870
Herst. Teile-Nr.:
STI45N10F7
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

45 A

Drain-Source-Spannung max.

100 V

Gehäusegröße

I2PAK (TO-262)

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

18 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

4.5V

Gate-Schwellenspannung min.

2.5V

Verlustleistung max.

60 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Transistor-Werkstoff

Si

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Breite

4.6mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Länge

10.4mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

25 nC @ 10 V

Serie

STripFET H7

Höhe

9.35mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

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