STMicroelectronics STripFET H7 STH80N10F7-2 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 80 A 110 W, 3-Pin H2PAK-2

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RS Best.-Nr.:
792-5877
Herst. Teile-Nr.:
STH80N10F7-2
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

80 A

Drain-Source-Spannung max.

100 V

Gehäusegröße

H2PAK-2

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

9,5 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

4.5V

Gate-Schwellenspannung min.

2.5V

Verlustleistung max.

110 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Gate-Ladung typ. @ Vgs

45 nC @ 10 V

Länge

10.4mm

Breite

9.17mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Transistor-Werkstoff

Si

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Höhe

4.8mm

Serie

STripFET H7

Betriebstemperatur min.

-55 °C

N-Kanal STripFET™ H7-Serie, STMicroelectronics


STripFET™ MOSFETs mit einem breiten Durchschlagsspannungs-Bereich bieten eine besonders geringe Gate-Ladung und einen niedrigen Einschaltwiderstand.


MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics