STMicroelectronics STripFET F3 STD65N55F3 N-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 80 A 110 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

RS Best.-Nr.:: 795-9000
Herst. Teile-Nr.:: STD65N55F3
Marke:: STMicroelectronics

STMicroelectronics STripFET F3 STD65N55F3 N-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 80 A 110 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

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Herst. Teile-Nr.:: STD65N55F3
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Produktdetails

N-Kanal STripFET™ F3, STMicroelectronics

STripFET™ MOSFETs mit einem breiten Durchschlagsspannungs-Bereich bieten eine besonders geringe Gate-Ladung und einen niedrigen Einschaltwiderstand.

MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	80 A
Drain-Source-Spannung max.	55 V
Serie	STripFET F3
Gehäusegröße	DPAK (TO-252)
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	8,5 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	4V
Gate-Schwellenspannung min.	2V
Verlustleistung max.	110 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Breite	6.2mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs	33,5 nC @ 10 V
Länge	6.6mm
Betriebstemperatur max.	+175 °C
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Transistor-Werkstoff	Si
Betriebstemperatur min.	-55 °C
Höhe	2.4mm