STMicroelectronics STripFET F3 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 55 V / 80 A 110 W, 3-Pin STD65N55F3 TO-252

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STD65N55F3
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

80A

Drain-Source-Spannung Vds max.

55V

Gehäusegröße

TO-252

Serie

STripFET F3

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

8.5mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.5V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

33.5nC

Maximale Verlustleistung Pd

110W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Länge

6.6mm

Höhe

2.4mm

Breite

6.2 mm

Automobilstandard

AEC-Q101

N-Kanal STripFET™ F3, STMicroelectronics


STripFET™ MOSFETs mit einem breiten Durchschlagsspannungs-Bereich bieten eine besonders geringe Gate-Ladung und einen niedrigen Einschaltwiderstand.

MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics


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