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    Nexperia PMPB11EN,115 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 9 A 12,5 W, 8-Pin DFN2020

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    Verpackungsoptionen:
    RS Best.-Nr.:
    798-2779
    Herst. Teile-Nr.:
    PMPB11EN,115
    Marke:
    Nexperia

    Ursprungsland:
    CN
    Eigenschaft
    Wert
    Channel-TypN
    Dauer-Drainstrom max.9 A
    Drain-Source-Spannung max.30 V
    GehäusegrößeDFN2020
    Montage-TypSMD
    Pinanzahl8
    Drain-Source-Widerstand max.14,5 mΩ
    Channel-ModusEnhancement
    Gate-Schwellenspannung max.2V
    Gate-Schwellenspannung min.1V
    Verlustleistung max.12,5 W
    Transistor-KonfigurationEinfach
    Gate-Source Spannung max.-20 V, +20 V
    Breite2.1mm
    Gate-Ladung typ. @ Vgs13,7 nC @ 10 V
    Länge2.1mm
    Betriebstemperatur max.+150 °C
    Anzahl der Elemente pro Chip1
    Transistor-WerkstoffSi
    Betriebstemperatur min.-55 °C
    Höhe0.65mm

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