Nexperia PMZB670UPE,315 P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 680 mA 2,7 W, 3-Pin SOT-883B
- RS Best.-Nr.:
- 798-2817
- Herst. Teile-Nr.:
- PMZB670UPE,315
- Marke:
- Nexperia
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
- RS Best.-Nr.:
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- Herst. Teile-Nr.:
- PMZB670UPE,315
- Marke:
- Nexperia
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Nexperia | |
| Channel-Typ | P | |
| Dauer-Drainstrom max. | 680 mA | |
| Drain-Source-Spannung max. | 20 V | |
| Gehäusegröße | SOT-883B | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 850 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 1.3V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 0.5V | |
| Verlustleistung max. | 2,7 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | –8 V, +8 V | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Länge | 1.05mm | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 0,76 nC @ 4,5 V | |
| Breite | 0.65mm | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Höhe | 0.36mm | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Nexperia | ||
Channel-Typ P | ||
Dauer-Drainstrom max. 680 mA | ||
Drain-Source-Spannung max. 20 V | ||
Gehäusegröße SOT-883B | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 850 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 1.3V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 0.5V | ||
Verlustleistung max. 2,7 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. –8 V, +8 V | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Länge 1.05mm | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 0,76 nC @ 4,5 V | ||
Breite 0.65mm | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Höhe 0.36mm | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||
- Ursprungsland:
- CN