Nexperia N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 44 A 74 W, 4-Pin SOT-669

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Herst. Teile-Nr.:
PSMN017-60YS,115
Marke:
Nexperia
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Marke

Nexperia

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

44A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

SOT-669

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

25mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

-20V, +20V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

20nC

Maximale Verlustleistung Pd

74W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Breite

4.1mm

Länge

5mm

Höhe

1.1mm

Automobilstandard

Nein

N-Kanal-MOSFET, 60–80 V, Nexperia


MOSFET-Transistoren, NXP Semiconductors


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