Nexperia PSMN7R0-60YS,115 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 89 A 117 W, 4-Pin LFPAK, SOT-669

RS Best.-Nr.:: 798-3028
Herst. Teile-Nr.:: PSMN7R0-60YS,115
Marke:: Nexperia

Nexperia PSMN7R0-60YS,115 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 89 A 117 W, 4-Pin LFPAK, SOT-669

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RS Best.-Nr.:: 798-3028
Herst. Teile-Nr.:: PSMN7R0-60YS,115
Marke:: Nexperia

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Rechtliche Anforderungen

Ursprungsland:: PH

Produktdetails

N-Kanal-MOSFET, 60–80 V, Nexperia

MOSFET-Transistoren, NXP Semiconductors

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	89 A
Drain-Source-Spannung max.	60 V
Gehäusegröße	LFPAK, SOT-669
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	4
Drain-Source-Widerstand max.	10,2 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	4V
Gate-Schwellenspannung min.	2V
Verlustleistung max.	117 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Breite	4.1mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs	45 nC @ 10 V
Länge	5mm
Betriebstemperatur max.	+175 °C
Transistor-Werkstoff	Si
Höhe	1.1mm
Betriebstemperatur min.	-55 °C