Nexperia Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 89 A 117 W, 4-Pin SOT-669

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Rolle mit 5 Stück)*

8,12 €

(ohne MwSt.)

9,665 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • Versand ab 29. Juli 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Gurtabschnitt*
5 +1,624 €8,12 €

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
798-3028
Herst. Teile-Nr.:
PSMN7R0-60YS,115
Marke:
Nexperia
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Nexperia

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

89A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

SOT-669

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

10.2mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

117W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

45nC

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Breite

4.1 mm

Länge

5mm

Höhe

1.1mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
PH

N-Kanal-MOSFET, 60–80 V, Nexperia


MOSFET-Transistoren, NXP Semiconductors


Verwandte Links